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三星将于2016年末全面转向10nm FinFET工艺

时间:2018-06-07 21:59来源:未知 作者:吴博士 点击:

尽管三星才在新款Galaxy S6上部署了采用14nm工艺生产的芯片,但是这家电子巨头的半导体部门又马不停蹄地公布了10nm FinFET工艺的生产计划。该公司称,其将在2016年末的时候全面转向新工艺,并带来功耗、面积和性能上的显着提升。作为三星电子的竞争对手,台积电也公布了自家10nm工艺的生产计划(同为明年下半年),以报今年被三星16/14nm工艺碾压之仇。

英特尔方面,该公司在10nm竞赛上有些落后,但面对的领域也稍有些不同,目前该公司仍未透露相关计划。

除了生产规模更小的Exynos SoC,三星或许还会在今年晚些时候将稍旧的14nm工艺产能开放代工。在这之后,产能满满的三星还有可能将10nm的产能继续放开。因此台积电今年在抢夺苹果和高通订单上的失利局面,或许会延续到新的一年。

上个月,三星刚刚给出了其14纳米工艺的详细路线图。目前该公司在韩国和德州奥斯汀有两座芯片厂,Global Foundries在纽约某厂子也在用着它的14nm工艺,尽管该公司暂未给出任何盈利和数量上的数据。

但不管怎样,其花在14nm和16nm节点上的时间都可能不会太长,因其工厂正在迅速转向成本更低、效率更高的10nm工艺。